การที่ Nvidia ผลักดันให้ Samsung, SK hynix และ Micron ใช้เทคโนโลยี 3 นาโนเมตรของ TSMC ผลิตชิปฐานสำหรับ NVHBM สะท้อนการยกระดับอุตสาหกรรมหน่วยความจำ AI ไปสู่การผลิตชิปเฉพาะทางที่ต้องอาศัยเทคโนโลยีขั้นสูงมากขึ้น ซึ่งเรามองเป็นบวกต่อ TSMC จากโอกาสขยายฐานรายได้และต่อ SK hynix จากความได้เปรียบด้าน HBM ขณะที่ Samsung มีโอกาสเพิ่มส่วนแบ่งตลาดผ่านความร่วมมือดังกล่าว แต่ยังต้องเผชิญความเสี่ยงจากต้นทุนการผลิตและการแข่งขันจาก CXMT ของจีนที่อาจกดดันราคา DRAM ทั่วไป แม้ความต้องการ HBM ขั้นสูงยังได้รับแรงสนับสนุนจากการลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI อย่างต่อเนื่อง

Nvidia ดัน Samsung–TSMC ร่วมผลิต HBM ยุคใหม่ หนุนห่วงโซ่ AI

1. Samsung เตรียมใช้เทคโนโลยี TSMC ผลิต HBM รุ่นใหม่ให้ Nvidia

· Samsung Electronics (005930 KS) เตรียมร่วมมือกับ TSMC (2330 TT) ในการผลิตชิปฐาน (Base Die) สำหรับหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรุ่นใหม่ NVHBM ของ Nvidia (NVDA US) โดยใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 3 นาโนเมตรของ TSMC ตามรายงานของ Seoul Economic Daily เมื่อวันที่ 18 ต.ค. 2026 ซึ่งนับเป็นครั้งแรกที่ Samsung จะใช้กระบวนการผลิตของ TSMC ตั้งแต่ขั้นตอนการผลิต HBM โดยตรง จากเดิมที่ผลิตทั้งชิปหน่วยความจำ (Core Die) และชิปฐานภายในบริษัทเอง

· ความร่วมมือดังกล่าวสะท้อนการปรับกลยุทธ์ของ Samsung จากการผลิตแบบครบวงจรภายในบริษัท ไปสู่การใช้ผู้ผลิตภายนอกสำหรับผลิตภัณฑ์เฉพาะทาง เพื่อเพิ่มความสามารถในการแข่งขันในตลาดหน่วยความจำ AI ที่มีข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพสูงขึ้น อย่างไรก็ตาม แผนดังกล่าวยังเป็นรายงานจากแหล่งข่าวในอุตสาหกรรม ไม่ใช่การยืนยันรายละเอียดสัญญาจัดซื้ออย่างเป็นทางการ

2. Nvidia กำหนดมาตรฐานการผลิตเดียวกันให้ Samsung, SK hynix และ Micron

· ตามรายงานดังกล่าว Nvidia ได้ขอให้ผู้ผลิต HBM รายใหญ่ทั้งสามแห่ง ได้แก่ Samsung Electronics, SK hynix (000660 KS) และ Micron Technology (MU US) ใช้เทคโนโลยี 3 นาโนเมตรของ TSMC สำหรับผลิตชิปฐาน และใช้เทคโนโลยี DRAM รุ่นที่ 6 หรือ 1c ในการผลิตชิปหน่วยความจำ โดย NVHBM จะพัฒนาบนโครงสร้าง HBM4E ซึ่งเป็นหน่วยความจำ HBM รุ่นที่ 7

· เป้าหมายสำคัญคือการทำให้ HBM จากผู้ผลิตต่างรายมีประสิทธิภาพสม่ำเสมอ ลดความซับซ้อนของการตรวจสอบคุณภาพ และช่วยให้ Nvidia สามารถจัดหาหน่วยความจำจากหลายบริษัทได้สะดวกขึ้น โดยไม่จำเป็นต้องปรับแต่งระบบให้แตกต่างกันตามผู้ผลิตแต่ละราย

· เราประเมินว่ากลยุทธ์ดังกล่าวจะช่วยลดความเสี่ยงด้านอุปทานและเพิ่มอำนาจต่อรองของ Nvidia ขณะเดียวกันยังเปิดโอกาสให้ Samsung และ Micron เพิ่มความสามารถในการแข่งขันกับ SK hynix ซึ่งมีความได้เปรียบในตลาด HBM อย่างไรก็ตาม การกำหนดมาตรฐานร่วมกันไม่ได้หมายความว่าผู้ผลิตทุกรายจะมีประสิทธิภาพ ต้นทุน หรืออัตราผลผลิตเท่ากัน เนื่องจากยังขึ้นอยู่กับเทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำและความสามารถในการประกอบชิปของแต่ละบริษัท

3. NVHBM ยกระดับประสิทธิภาพ AI และเพิ่มบทบาทของ TSMC ในห่วงโซ่ HBM

· NVHBM แตกต่างจาก HBM ทั่วไปตรงที่ Nvidia มีบทบาทมากขึ้นในการออกแบบชิปฐานให้รองรับระบบควบคุมหน่วยความจำบางส่วน ซึ่งเดิมอยู่ภายใน GPU ทำให้มีโอกาสเพิ่มพื้นที่สำหรับวงจรประมวลผลและปรับปรุงประสิทธิภาพการรับส่งข้อมูลระหว่างหน่วยความจำกับชิป AI โดยตามรายงานของ Seoul Economic Daily เทคโนโลยีดังกล่าวมีเป้าหมายเพิ่มแบนด์วิดท์ได้สูงสุด 30% และลดการใช้พลังงานประมาณ 15% เมื่อเทียบกับ HBM4E มาตรฐาน อย่างไรก็ตาม ตัวเลขดังกล่าวยังเป็นประสิทธิภาพที่คาดหวัง ไม่ใช่ผลลัพธ์ที่ยืนยันจากการผลิตเชิงพาณิชย์

· การเปลี่ยนแปลงนี้สะท้อนว่า HBM กำลังพัฒนาจากหน่วยความจำความเร็วสูงทั่วไป ไปสู่ชิปที่ออกแบบเฉพาะสำหรับระบบ AI ซึ่งต้องอาศัยทั้งเทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง การออกแบบชิปฐาน และการประกอบชิปเข้าด้วยกัน ส่งผลให้ TSMC มีโอกาสขยายบทบาทจากผู้ผลิตชิปประมวลผล AI ไปสู่การผลิตชิ้นส่วนสำคัญของหน่วยความจำขั้นสูง และอาจช่วยเพิ่มความต้องการกำลังการผลิตระดับ 3 นาโนเมตรในระยะยาว

· อย่างไรก็ตาม Samsung ยังมีแผนรักษากลยุทธ์การผลิตแบบครบวงจรสำหรับ HBM4 และ HBM4E มาตรฐาน โดยใช้เทคโนโลยี 4 นาโนเมตรของ Samsung Foundry ผลิตชิปฐาน และใช้เทคโนโลยี DRAM 1c ผลิตชิปหน่วยความจำ รวมถึงยังคงใช้รูปแบบการผลิตภายในสำหรับลูกค้ารายอื่น เช่น AMD นอกจากนี้ บริษัทยังศึกษาความเป็นไปได้ในการใช้โรงงานของตนเองผลิตชิปฐาน NVHBM หากกำลังการผลิตของ TSMC ไม่เพียงพอ สะท้อนว่า Samsung กำลังเพิ่มความยืดหยุ่นในการผลิตมากกว่ายุติกลยุทธ์การผลิตภายในบริษัท

4. ความเสี่ยงจาก CXMT และต้นทุนการผลิต อาจกดดันอัตรากำไรของผู้ผลิต DRAM

· แม้ความต้องการ HBM สำหรับ AI ยังเติบโตแข็งแกร่ง แต่ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ ได้แก่ Samsung, SK hynix และ Micron กำลังเผชิญความเสี่ยงจาก ChangXin Memory Technologies (CXMT) ของจีน ซึ่งเร่งพัฒนาเทคโนโลยี DRAM และขยายกำลังการผลิต โดยเฉพาะการพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำ 4F² ที่มีศักยภาพเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลและลดต้นทุนต่อหน่วยในระยะยาว หากสามารถผลิตเชิงพาณิชย์ด้วยอัตราผลผลิตที่เหมาะสมได้สำเร็จ

· เราประเมินว่าความเสี่ยงจาก CXMT ในระยะสั้นถึงกลางจะกระทบตลาด DRAM ทั่วไปมากกว่าตลาด HBM ขั้นสูง เนื่องจากการเพิ่มกำลังการผลิต DRAM อาจสร้างแรงกดดันต่อราคาขายเฉลี่ยและอัตรากำไรของผู้ผลิตรายเดิม โดยเฉพาะ Samsung ที่มีฐานรายได้จาก DRAM ขนาดใหญ่ ขณะที่ SK hynix และ Micron อาจได้รับผลกระทบเช่นกันหากการแข่งขันด้านราคาขยายวงกว้าง

· อย่างไรก็ตาม ยังไม่มีข้อมูลเพียงพอที่จะยืนยันว่า CXMT มีต้นทุนการผลิตต่ำกว่าผู้ผลิตรายใหญ่ในทุกประเภทผลิตภัณฑ์ อีกทั้งเทคโนโลยี 4F² ยังต้องพิสูจน์ความสามารถในการผลิตจำนวนมาก จึงยังไม่ควรประเมินว่าจีนจะเข้ามาแข่งขันด้านต้นทุนกับ HBM4E หรือ NVHBM ได้ทันที เนื่องจากผลิตภัณฑ์เหล่านี้มีข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพ การประกอบชิป และการรับรองคุณภาพจากลูกค้าที่สูงกว่า DRAM ทั่วไป

· นอกจากนี้ การที่ Nvidia ต้องการให้ผู้ผลิต HBM ใช้เทคโนโลยี 3 นาโนเมตรของ TSMC ยังอาจเพิ่มต้นทุนการผลิตชิปฐานและลดความยืดหยุ่นด้านต้นทุนของ Samsung เมื่อเทียบกับการใช้โรงงานภายในบริษัท อย่างไรก็ตาม ผลกระทบที่แท้จริงต่ออัตรากำไรยังขึ้นอยู่กับราคาการผลิต อัตราผลผลิต ต้นทุนการประกอบชิป และราคาขาย NVHBM ซึ่งยังไม่มีข้อมูลเปรียบเทียบที่ชัดเจน

5. เปรียบเทียบการแข่งขัน Samsung, SK hynix, Micron และ TSMC

การแข่งขันในตลาด HBM กำลังเปลี่ยนจากการเพิ่มกำลังการผลิตเพียงอย่างเดียว ไปสู่ความสามารถด้านการออกแบบชิปฐาน เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง และการส่งมอบผลิตภัณฑ์ตามข้อกำหนดของ Nvidia โดยแต่ละบริษัทมีความได้เปรียบและความเสี่ยงแตกต่างกัน

บริษัท	ความได้เปรียบหลัก	ความเสี่ยงสำคัญ	มุมมองการลงทุน
Samsung (005930 KS)	มีทั้งธุรกิจ DRAM และโรงงานผลิตชิปของตนเอง พร้อมโอกาสเพิ่มส่วนแบ่ง HBM	แรงกดดันจาก CXMT ในตลาด DRAM และต้นทุนผลิตชิปฐานผ่าน TSMC ที่อาจสูงขึ้น	บวกต่อโอกาสฟื้นส่วนแบ่ง HBM แต่ต้องติดตามอัตรากำไร
SK hynix (000660 KS)	ความเชี่ยวชาญด้าน HBM และความสัมพันธ์กับ Nvidia	การแข่งขันจาก Samsung และ Micron รวมถึงความเสี่ยงด้านราคา DRAM	ยังมีความได้เปรียบในตลาด HBM ขั้นสูง
Micron (MU US)	เทคโนโลยี DRAM ขั้นสูงและโอกาสขยายรายได้จาก HBM	ต้องเพิ่มกำลังผลิตและรักษาความสามารถในการแข่งขันด้านต้นทุน	บวกต่อการเติบโตของธุรกิจ HBM แต่การแข่งขันสูงขึ้น
TSMC (2330 TT)	เทคโนโลยี 3 นาโนเมตรและฐานลูกค้าชิป AI รายใหญ่	ข้อจำกัดกำลังการผลิต ต้นทุนลงทุนสูง และความเสี่ยงด้านภูมิรัฐศาสตร์	มีโอกาสได้รับประโยชน์จากผู้ผลิต HBM หลายราย

· ในเชิงการแข่งขัน เรามองว่า SK hynix ยังคงมีความได้เปรียบจากความเชี่ยวชาญด้าน HBM และฐานลูกค้า Nvidia ขณะที่ Samsung มีโอกาสเพิ่มส่วนแบ่งตลาดหากสามารถพัฒนา NVHBM ให้ผ่านข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพและต้นทุนได้สำเร็จ ส่วน Micron มีโอกาสได้รับประโยชน์จากการที่ Nvidia กระจายคำสั่งซื้อไปยังผู้ผลิตหลายราย

· สำหรับ TSMC เราประเมินว่ามีโอกาสได้รับประโยชน์จากการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างการผลิตชัดเจนที่สุด เนื่องจากสามารถสร้างรายได้จากการผลิตชิปฐานให้ผู้ผลิต HBM หลายราย โดยไม่จำเป็นต้องพึ่งพาว่าผู้ผลิตหน่วยความจำรายใดจะเพิ่มส่วนแบ่งตลาดได้มากที่สุด อย่างไรก็ตาม ขนาดของประโยชน์ต่อรายได้และกำไรยังขึ้นอยู่กับปริมาณคำสั่งซื้อจริงและความพร้อมด้านกำลังการผลิต

มุมมอง InnovestX: บวกต่อ TSMC และ SK hynix แต่ระวังการแข่งขันและต้นทุน DRAM

· เราประเมินเป็นบวกต่ออุตสาหกรรมหน่วยความจำขั้นสูงจากความต้องการ HBM ที่ได้รับแรงสนับสนุนจากการลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI และการพัฒนา NVHBM ซึ่งเพิ่มความสำคัญของเทคโนโลยีการผลิตระดับ 3 นาโนเมตร อย่างไรก็ตาม การกำหนดมาตรฐานร่วมกันของ Nvidia อาจทำให้การแข่งขันระหว่างผู้ผลิต HBM เข้มข้นขึ้น ขณะที่การขยายกำลังผลิตของ CXMT มีโอกาสกดดันราคาขายและอัตรากำไรในตลาด DRAM ทั่วไป โดยเฉพาะหากอุปทานจากจีนเพิ่มขึ้นเร็วกว่าความต้องการ

· ในเชิงกลยุทธ์การลงทุน เรายังคงให้น้ำหนักเชิงบวกต่อ TSMC (2330 TT/TSM US) จากโอกาสขยายบทบาทในห่วงโซ่การผลิต HBM และ SK hynix (000660 KS) จากความได้เปรียบด้านเทคโนโลยีและฐานลูกค้า Nvidia ขณะที่ Samsung (005930 KS) มีโอกาสฟื้นส่วนแบ่งตลาดผ่านความร่วมมือกับ TSMC แต่ต้องติดตามต้นทุนการผลิตและความสามารถในการแข่งขันกับ CXMT ส่วน Micron (MU US) ยังได้รับประโยชน์จากความต้องการ HBM ที่เติบโต แต่มีความเสี่ยงจากการแข่งขันที่เพิ่มขึ้น ด้าน Nvidia (NVDA US) ได้ประโยชน์จากการกระจายฐานผู้ผลิตและลดข้อจำกัดด้านอุปทาน โดยปัจจัยที่ต้องติดตามคือความคืบหน้าการพัฒนา NVHBM กำลังการผลิต 3 นาโนเมตรของ TSMC และแนวโน้มราคาขาย DRAM ทั่วไป

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน