Samsung และ SK Hynix ราคาหุ้นอ่อนตัว แต่พื้นฐานยังแข็งแกร่ง

อุตสาหกรรมหน่วยความจำ AI ยังมีแนวโน้มแข็งแกร่ง แม้ราคาหุ้น Samsung และ SK hynix ปรับตัวลงจากความกังวลระยะสั้น โดยราคา HBM ปี 2027 ยังมีโอกาสเพิ่มขึ้นมากจากอุปสงค์ที่สูงกว่ากำลังผลิต ขณะเดียวกัน การแข่งขันกำลังขยายจาก HBM ไปสู่ HBF และ NAND รุ่นใหม่ เพื่อรองรับข้อมูลขนาดใหญ่ของระบบ AI โดย SK hynix ยังนำด้าน HBM และมาตรฐาน HBF ส่วน Samsung เร่งตามด้วย zHBM และหน่วยความจำแบบซ้อนหลายชั้น ซึ่งอาจเป็นแรงขับเคลื่อนการเติบโตระยะถัดไปของทั้งอุตสาหกรรม ภาพรวมยังเป็นบวกต่อ Samsung Electronics และ SK hynix

1. ภาพรวมอุตสาหกรรม: ราคาหุ้นอ่อนตัว แต่พื้นฐานยังแข็งแกร่ง

ราคาหุ้น Samsung Electronics และ SK hynix ปรับตัวลง 23% และ 35% ในช่วงหนึ่งเดือนที่ผ่านมา จากความกังวลเรื่องราคาหน่วยความจำที่อาจชะลอลง รายละเอียดสัญญาระยะยาวที่ยังไม่ชัดเจน สินค้าคงคลังที่เพิ่มขึ้น การขยายกำลังผลิตของจีน และผลกำไรไตรมาส 2 ของ SK hynix ที่ต่ำกว่าตลาดคาด อย่างไรก็ตาม รายงานประเมินว่าความกังวลส่วนใหญ่รุนแรงกว่าการเปลี่ยนแปลงของปัจจัยพื้นฐาน และยังคงมุมมองเชิงบวกต่อหุ้นทั้งสองบริษัท
แนวโน้มสำคัญคืออุตสาหกรรมไม่ได้แข่งขันเฉพาะหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงหรือ HBM อีกต่อไป แต่กำลังขยายไปสู่ระบบหน่วยความจำหลายระดับ ซึ่งต้องเชื่อมต่อหน่วยความจำความเร็วสูงกับพื้นที่จัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่ เพื่อรองรับข้อมูลที่เพิ่มขึ้นจากการใช้งาน AI

2. ราคา HBM ปี 2027 ยังมีโอกาสเพิ่มขึ้นมาก

ตลาดตาดการณ์ว่าราคาเฉลี่ยของ HBM ในปี 2027 จะอยู่ใกล้ 2.9 ดอลลาร์ต่อกิกะบิต เพิ่มขึ้นประมาณ 87% สำหรับ Samsung และ 100% สำหรับ SK hynix โดยประมาณ 60% มาจากการขึ้นราคาของสินค้าเดิม ส่วนที่เหลือมาจากการขายผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่และสินค้าที่มีมูลค่าสูงขึ้น
สาเหตุหลักมาจากความต้องการของเซิร์ฟเวอร์ AI ที่ยังเพิ่มเร็วกว่ากำลังผลิต ขณะที่ HBM รุ่นใหม่ผลิตได้ยากขึ้นจากการใช้วงจรที่ซับซ้อน การเพิ่มจำนวนชั้น และอัตราผลผลิตที่ลดลง จึงมีแนวโน้มทำให้ตลาด HBM ในปี 2027 ขาดแคลนมากกว่าปัจจุบัน

3. สัญญาระยะยาวช่วยลดความผันผวนของธุรกิจ

ผู้ผลิตหน่วยความจำกำลังทำสัญญาระยะยาวกับลูกค้ามากขึ้น โดยระยะเวลาสัญญาส่วนใหญ่อยู่ที่ 3–5 ปี และบางสัญญาสามารถต่ออายุแบบปีต่อปีได้ Samsung ตั้งเป้าให้สัญญาระยะยาวครอบคลุมประมาณ 60–70% ของกำลังผลิตในอนาคต ขณะที่ SK hynix ระบุว่าได้เจรจากับลูกค้ารายสำคัญแล้วประมาณ 10 ราย
เงื่อนไขสัญญายังเป็นประโยชน์ต่อผู้ผลิตมากขึ้น ทั้งการกำหนดกรอบราคา ราคาขั้นต่ำ เงินมัดจำล่วงหน้า และข้อกำหนดให้ลูกค้าซื้อสินค้าตามปริมาณที่ตกลงไว้ ช่วยลดความเสี่ยงจากราคาหน่วยความจำที่เคยขึ้นลงแรง และเพิ่มความชัดเจนของรายได้ก่อนลงทุนขยายกำลังผลิต

4. ความกังวลเรื่องสินค้าคงคลังและ NAND ยังจำกัด

แม้สินค้าคงคลังของผู้ประกอบชิ้นส่วนบางรายเพิ่มขึ้นจากยอดขายโทรศัพท์และคอมพิวเตอร์ที่อ่อนตัว แต่สินค้าคงคลังของผู้ผลิต DRAM และ NAND รายใหญ่อยู่ที่ประมาณ 2–4 สัปดาห์ ต่ำกว่าระดับปกติที่ 4–5 สัปดาห์ และต่ำกว่าช่วงก่อนเข้าสู่วัฏจักรขาลงที่มักสูงกว่า 10 สัปดาห์ จึงยังไม่เห็นสัญญาณว่าตลาดกำลังเข้าสู่ภาวะสินค้าล้นตลาด
สำหรับ NAND ความต้องการจากอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลขององค์กรยังช่วยชดเชยตลาดผู้บริโภค โดยความต้องการในปี 2026–2028 คาดว่าจะเพิ่มขึ้น 66%, 31% และ 22% ตามลำดับ ขณะที่ผู้ผลิตส่วนใหญ่ให้น้ำหนักการลงทุนกับ DRAM มากกว่า NAND ทำให้กำลังผลิต NAND มีแนวโน้มเพิ่มช้ากว่าความต้องการ

5. SK hynix ขยายจาก HBM สู่ HBF

SK hynix และ Sandisk เปิดเผยมาตรฐานแรกของ HBF ซึ่งเป็นหน่วยความจำระดับกลางระหว่าง HBM กับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลแบบ SSD โดยใช้เทคโนโลยี NAND เพื่อเพิ่มความจุ แต่ยังสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็วใกล้เคียง HBM เหมาะกับงาน AI ที่ต้องประมวลผลข้อมูลจำนวนมาก
มาตรฐานดังกล่าวรองรับความจุสูงสุด 512 กิกะไบต์ และมีความเร็วส่งข้อมูลตั้งแต่ประมาณ 0.4–3.0 เทราไบต์ต่อวินาที สามารถเชื่อมต่อกับทั้งหน่วยประมวลผลกราฟิกและหน่วยประมวลผลกลาง โดยใช้มาตรฐานเชื่อมต่อแบบเปิด จึงเอื้อต่อการนำไปใช้กับอุปกรณ์จากผู้ผลิตหลายราย ขณะนี้ Google และ Tenstorrent เข้าร่วมกลุ่มพัฒนาแล้ว
นอกจากนี้ SK hynix ยังเปิดตัว NAND รุ่นที่ 10 แบบ 375 ชั้น ซึ่งใช้พลังงานต่อประสิทธิภาพดีขึ้น 2.5 เท่า และมีแผนเริ่มผลิตอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลสำหรับองค์กรจากเทคโนโลยีดังกล่าวในช่วงต้นปีหน้า

6. Samsung เร่งตามด้วย zHBM และ NAND แบบซ้อนหลายชั้น

Samsung เปิดเผยแผนพัฒนาหน่วยความจำ zHBM ซึ่งนำ HBM มาซ้อนในแนวตั้งบนชิปเร่งการประมวลผล AI โดยบริษัทระบุว่าจะให้ประสิทธิภาพสูงกว่า HBM5 ประมาณ 8 เท่า และมีความหนาแน่นของหน่วยความจำมากกว่า 10 เท่า แม้ยังไม่ได้ระบุช่วงเวลาผลิตเชิงพาณิชย์ที่ชัดเจน
บริษัทยังเปิดตัว zNAND-O สำหรับงาน AI ที่ต้องประมวลผลข้อมูลแบบทันที และโครงสร้าง V10 BV-NAND มากกว่า 400 ชั้น ซึ่งเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลเกือบ 60% พร้อมเพิ่มความเร็วในการอ่านและเขียน สะท้อนว่า Samsung ต้องการแข่งขันแบบครบวงจร ตั้งแต่ HBM หน่วยความจำที่ทำงานร่วมกับหน่วยประมวลผล ไปจนถึงอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลสำหรับศูนย์ข้อมูล

7. การแข่งขันจากจีนยังไม่กดดันผู้นำในระยะใกล้

CXMT มีแนวโน้มเพิ่มส่วนแบ่งในตลาดจีน โดยเฉพาะหน่วยความจำสำหรับโทรศัพท์รุ่นทั่วไป แต่เทคโนโลยียังตามหลัง Samsung และ SK hynix ราว 2–3 รุ่น และยังเผชิญข้อจำกัดในการเข้าถึงเครื่องจักรผลิตชิปขั้นสูง
ช่องว่างใน HBM ยิ่งกว้างกว่า DRAM ทั่วไป เนื่องจากต้องอาศัยทั้งการผลิตชิปขั้นสูง การเชื่อมต่อหลายชั้น และเทคโนโลยีบรรจุชิปที่ซับซ้อน จึงคาดว่า CXMT จะยังไม่ส่งผลต่อภาวะขาดแคลนหน่วยความจำระดับโลกอย่างมีนัยสำคัญในระยะใกล้ถึงกลาง

8. ปัจจัยที่ต้องติดตาม

ความเสี่ยงสำคัญคือการลงทุนด้าน AI ชะลอตัวเร็วกว่าคาด ลูกค้าลดคำสั่งซื้อเซิร์ฟเวอร์ ราคาหน่วยความจำทั่วไปกลับมาอ่อนตัว และผู้ผลิตเพิ่มกำลังผลิตมากเกินไป นอกจากนี้ Samsung ยังต้องพิสูจน์ว่าสามารถเพิ่มอัตราผลผลิตและผ่านการรับรอง HBM รุ่นใหม่จากลูกค้ารายใหญ่ได้ตามแผน ขณะที่เทคโนโลยี HBF และ zHBM ยังอยู่ในช่วงเริ่มต้นและอาจต้องใช้เวลาหลายปีกว่าจะสร้างรายได้ในระดับสำคัญ

ตารางที่ 1: ภาพรวมอุตสาหกรรมหน่วยความจำ AI

ประเด็น	สถานการณ์ปัจจุบัน	แนวโน้ม	ความหมายต่ออุตสาหกรรม
ราคา HBM ปี 2027	ราคาเฉลี่ยคาดใกล้ 2.9 ดอลลาร์ต่อกิกะบิต	Samsung +87% YoY, SK hynix +100% YoY	อุปสงค์จากเซิร์ฟเวอร์ AI ยังสูงกว่ากำลังผลิต และหนุนกำไรของผู้ผลิตหน่วยความจำ
สมดุลอุปสงค์–อุปทาน	การผลิต HBM รุ่นใหม่มีความซับซ้อนและอัตราผลผลิตต่ำลง	ตลาดปี 2027 มีแนวโน้มตึงตัวกว่าปี 2026	ผู้ผลิตมีอำนาจกำหนดราคาและเลือกขายสินค้ามูลค่าเพิ่มสูงมากขึ้น
สัญญาระยะยาว	ระยะเวลาส่วนใหญ่ 3–5 ปี และอาจต่ออายุได้	สัดส่วนกำลังผลิตภายใต้สัญญาเพิ่มขึ้น	ช่วยลดความผันผวนของราคาและเพิ่มความชัดเจนของรายได้
สินค้าคงคลัง	DRAM และ NAND ของผู้ผลิตรายใหญ่อยู่ที่ 2–4 สัปดาห์	ต่ำกว่าระดับปกติที่ 4–5 สัปดาห์	ยังไม่เห็นสัญญาณเข้าสู่ภาวะสินค้าล้นตลาด
การแข่งขันจากจีน	CXMT เพิ่มบทบาทในตลาดจีนและสินค้ารุ่นทั่วไป	ยังตามหลังผู้นำประมาณ 2–3 รุ่น	ผลกระทบต่อ HBM และตลาดหน่วยความจำโลกยังจำกัดในระยะใกล้

ตารางที่ 2: เปรียบเทียบเทคโนโลยีหน่วยความจำสำหรับ AI

เทคโนโลยี	ลักษณะสำคัญ	จุดเด่น	การใช้งานหลัก	ระยะพัฒนา
HBM	หน่วยความจำความเร็วสูงซ้อนหลายชั้น	ความเร็วสูงและอยู่ใกล้ชิปประมวลผล	การฝึกและประมวลผลแบบจำลอง AI	ใช้เชิงพาณิชย์แล้ว
HBF	ใช้ NAND เพื่อเพิ่มความจุ แต่มีความเร็วใกล้ HBM	สมดุลระหว่างความเร็วและความจุ	การอนุมาน AI และข้อมูลขนาดใหญ่	เริ่มกำหนดมาตรฐาน
zHBM	ซ้อน HBM ในแนวตั้งบนชิปเร่งการประมวลผล	ประสิทธิภาพสูงกว่า HBM5 ราว 8 เท่า และความหนาแน่นมากกว่า 10 เท่า	ระบบ AI สมรรถนะสูงรุ่นถัดไป	ยังไม่มีกำหนดผลิตชัดเจน
zNAND-O	NAND ที่ปรับให้ตอบสนองข้อมูลได้รวดเร็ว	เหมาะกับงานที่ต้องอ่านข้อมูลทันที	งาน AI แบบเวลาจริง	อยู่ในแผนพัฒนา
V10 NAND	NAND มากกว่า 375–400 ชั้น	เพิ่มความจุและประสิทธิภาพต่อพลังงาน	อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลในศูนย์ข้อมูล	เตรียมเข้าสู่การผลิต

ตารางที่ 3: เปรียบเทียบ Samsung Electronics และ SK hynix

ประเด็น	SK hynix	Samsung Electronics
สถานะใน HBM	ผู้นำตลาดและมีฐานลูกค้า AI แข็งแกร่ง	อยู่ระหว่างเร่งฟื้นส่วนแบ่ง
กลยุทธ์หลัก	ขยายจาก HBM ไปสู่ HBF และระบบหน่วยความจำหลายระดับ	พัฒนาตั้งแต่ HBM4, zHBM, NAND ไปจนถึงหน่วยความจำที่ประมวลผลได้
เทคโนโลยีใหม่	HBF, NAND 375 ชั้น	zHBM, zNAND-O, V10 BV-NAND มากกว่า 400 ชั้น
พันธมิตร	Sandisk, Google, Tenstorrent และ Google DeepMind	เน้นการพัฒนาเทคโนโลยีภายในและให้บริการระบบ AI ครบวงจร
จุดแข็ง	ความได้เปรียบด้าน HBM และการสร้างมาตรฐานอุตสาหกรรม	ขนาดธุรกิจ เทคโนโลยีการผลิต และผลิตภัณฑ์ที่ครอบคลุม
สิ่งที่ต้องพิสูจน์	รักษาความเป็นผู้นำขณะคู่แข่งเพิ่มกำลังผลิต	เพิ่มอัตราผลผลิตและผ่านการรับรอง HBM รุ่นใหม่
แนวโน้มราคา HBM ปี 2027	คาดเพิ่มขึ้นประมาณ 100% YoY	คาดเพิ่มขึ้นประมาณ 87% YoY

มุมมองของ InnovestX

ภาพรวมยังเป็นบวกต่อ Samsung Electronics และ SK hynix เนื่องจากตลาด HBM มีแนวโน้มตึงตัวต่อถึงปี 2027 สัญญาระยะยาวช่วยเพิ่มความแน่นอนของราคาและยอดขาย ขณะที่ HBF, zHBM และ NAND หลายชั้นเปิดโอกาสให้รายได้จาก AI ขยายจากหน่วยความจำความเร็วสูงไปสู่ระบบจัดเก็บข้อมูลทั้งชุด
ในเชิงกลยุทธ์ SK hynix ยังได้เปรียบจากความเป็นผู้นำ HBM และการสร้างมาตรฐาน HBF ร่วมกับพันธมิตร ส่วน Samsung มีโอกาสฟื้นส่วนแบ่งหากการผลิต HBM4 และเทคโนโลยีแบบซ้อนแนวตั้งทำได้ตามแผน อย่างไรก็ตาม การลงทุนควรเน้นจังหวะที่ราคาหุ้นอ่อนตัว เนื่องจากการแข่งขันด้านเทคโนโลยีและงบลงทุนยังอยู่ในระดับสูง

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน