CXMT ประกาศความก้าวหน้า DRAM 4F² ท้าทาย Samsung–SK hynix

CXMT ประกาศความก้าวหน้าเทคโนโลยี DRAM แบบ 4F² ซึ่งอาจเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้สูงสุด 50% บนพื้นที่เท่าเดิม พร้อมตั้งเป้าเปิดตัวภายในปี 2026 สะท้อนความสามารถของจีนในการลดช่องว่างทางเทคโนโลยีกับ Samsung และ SK hynix ขณะที่ส่วนแบ่งตลาด DRAM ของ CXMT เพิ่มจาก 4% เป็น 10% ภายในหนึ่งปี อย่างไรก็ตาม บริษัทยังต้องพิสูจน์ความสามารถในการผลิตเชิงพาณิชย์ และยังตามหลังในตลาด HBM จึงมองว่าความเสี่ยงสำคัญอยู่ที่การแข่งขัน DRAM ทั่วไปในระยะกลางถึงยาว มากกว่าผลกระทบต่อกำไรของผู้ผลิต HBM ในระยะสั้น

1. CXMT พัฒนา DRAM เทคโนโลยีใหม่ หวังแซงผู้นำตลาดโลก

CXMT ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ของจีน ประกาศความก้าวหน้าในการพัฒนาเทคโนโลยี DRAM รูปแบบใหม่ที่เรียกว่า 4F² ซึ่งช่วยเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำบนชิป โดยบริษัทมีแผนเปิดตัวผลิตภัณฑ์สำหรับเซิร์ฟเวอร์ภายในสิ้นปี 2026 หากประสบความสำเร็จ จะถือเป็นความก้าวหน้าสำคัญเหนือ Samsung Electronics และ SK hynix ซึ่งยังอยู่ระหว่างพัฒนาเทคโนโลยีดังกล่าว

เทคโนโลยี 4F² คืออะไร: คือการลดพื้นที่เซลล์หน่วยความจำจากมาตรฐานเดิม 6F² เหลือ 4F² หรือเล็กลงประมาณ 33% ในทางทฤษฎี ช่วยเพิ่มจำนวนเซลล์หน่วยความจำบนพื้นที่เท่าเดิมได้สูงสุด 50% ส่งผลให้ต้นทุนต่อหน่วยความจำมีโอกาสลดลง
การออกแบบใหม่: CXMT ใช้เทคโนโลยี Vertical Surrounding Gate โดยจัดเรียงทรานซิสเตอร์ในแนวตั้ง เพื่อเพิ่มความหนาแน่นและลดการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้า
ข้อจำกัด: บริษัทยังไม่เปิดเผยข้อมูลประสิทธิภาพ ต้นทุน และอัตราผลผลิตชิปที่ใช้งานได้จริง (Yield) จึงยังไม่สามารถยืนยันความพร้อมในการผลิตจำนวนมากเชิงพาณิชย์

2. CXMT เพิ่มส่วนแบ่งตลาด DRAM อย่างรวดเร็ว แม้ถูกจำกัดเทคโนโลยี

ความก้าวหน้าครั้งนี้สะท้อนความสามารถของจีนในการพัฒนาเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ภายใต้ข้อจำกัดการเข้าถึงเครื่องจักรผลิตชิปขั้นสูงจาก ASML โดย CXMT เลือกพัฒนาสถาปัตยกรรมชิปและกระบวนการผลิตเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ แทนการพึ่งพาการลดขนาดชิปด้วยเครื่องจักรรุ่นใหม่เพียงอย่างเดียว

ส่วนแบ่งตลาดเติบโต: CXMT มีส่วนแบ่งตลาด DRAM ทั่วโลกเพิ่มจาก 4% ใน 2Q25 เป็น 10% ใน 2Q26 ตามข้อมูล Counterpoint Research สะท้อนการขยายกำลังผลิตและความสามารถในการแข่งขันที่เพิ่มขึ้น
โอกาสขยายสู่ตลาดเซิร์ฟเวอร์: เทคโนโลยี 4F² อาจช่วยเพิ่มความสามารถในการแข่งขันของ CXMT ในตลาดหน่วยความจำสำหรับศูนย์ข้อมูล ซึ่งมีความต้องการเพิ่มขึ้นตามการลงทุน AI
ยังตามหลังตลาด HBM: CXMT ยังมีข้อจำกัดด้านหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) ที่ใช้ร่วมกับชิป AI ของ Nvidia โดย SK hynix, Samsung และ Micron ยังคงมีความได้เปรียบด้านเทคโนโลยีและการผลิต

3. ความเสี่ยงสำคัญคือการเปลี่ยนเทคโนโลยีให้ผลิตได้จริง

แม้ CXMT อ้างว่าประสบความสำเร็จในการพัฒนา 4F² แต่ความท้าทายสำคัญอยู่ที่การขยายกำลังผลิตเชิงพาณิชย์ เนื่องจากเทคโนโลยีดังกล่าวมีความซับซ้อนสูง และเป็นโจทย์ที่ผู้ผลิตชั้นนำพยายามพัฒนามาหลายปี

อัตราผลผลิต: การผลิตชิปที่มีโครงสร้างซับซ้อนอาจทำให้สัดส่วนชิปที่ผ่านมาตรฐานต่ำ ส่งผลให้ต้นทุนสูงกว่าที่คาด
ระยะเวลาเข้าสู่ตลาด: แม้ CXMT ตั้งเป้าเปิดตัวผลิตภัณฑ์ภายในปี 2026 แต่การผลิตจำนวนมากด้วยต้นทุนที่แข่งขันได้อาจต้องใช้เวลาเพิ่มเติม
ผลกระทบต่อการแข่งขัน: หาก CXMT ผลิต 4F² ได้สำเร็จในปริมาณมาก จะช่วยลดต้นทุนต่อหน่วยความจำ เพิ่มส่วนแบ่งตลาด และสร้างแรงกดดันต่อราคาขาย DRAM ของ Samsung, SK hynix และ Micron ในระยะกลางถึงยาว

4. ข่าว CXMT กดดันหุ้นหน่วยความจำทั่วโลก สะท้อนความกังวลการแข่งขันจากจีน

การประกาศเทคโนโลยีใหม่ของ CXMT เป็นหนึ่งในปัจจัยที่กระตุ้นแรงขายหุ้นผู้ผลิตหน่วยความจำ โดยวันที่ 13 ต.ค. 2026 หุ้น SK hynix ลดลงประมาณ 10% และ Samsung ลดลงประมาณ 7% ขณะที่ Micron ลดลง 4% ในการซื้อขายสหรัฐฯ ก่อนตลาดเปิด สะท้อนความกังวลว่าความก้าวหน้าของจีนอาจลดความได้เปรียบทางเทคโนโลยีของผู้ผลิตเดิมเร็วกว่าคาด

อย่างไรก็ตาม แรงขายยังมีปัจจัยร่วมจากความกังวลต่อความยั่งยืนของการลงทุน AI และมูลค่าหุ้นเทคโนโลยีที่อยู่ในระดับสูง จึงยังไม่สามารถสรุปได้ว่าการปรับลดลงของหุ้นทั้งหมดเกิดจากข่าว CXMT เพียงอย่างเดียว

มุมมองของ InnovestX

INVX มองว่าความก้าวหน้าของ CXMT เป็นสัญญาณสำคัญว่าผู้ผลิตจีนกำลังลดช่องว่างทางเทคโนโลยีกับผู้นำตลาดโลกเร็วกว่าที่คาด และอาจเพิ่มแรงกดดันต่อราคาและส่วนแบ่งตลาด DRAM ทั่วไปในระยะกลางถึงยาว อย่างไรก็ตาม ยังต้องติดตามความสามารถในการผลิต 4F² เชิงพาณิชย์ เนื่องจากการประกาศความสำเร็จทางเทคโนโลยียังไม่เท่ากับความสามารถในการผลิตจำนวนมากด้วยต้นทุนที่แข่งขันได้
เรายังคงมุมมองเชิงบวกต่อ SK hynix, Samsung และ Micron จากความต้องการหน่วยความจำสำหรับ AI โดยเฉพาะ HBM ซึ่ง CXMT ยังตามหลังคู่แข่ง โดยให้น้ำหนักกับ SK hynix มากที่สุดจากความแข็งแกร่งในตลาด HBM ขณะที่ความเสี่ยงการแข่งขันจาก CXMT จะมีผลต่อ DRAM ทั่วไปมากกว่าหน่วยความจำขั้นสูงในระยะสั้น

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน