CXMT เร่งยกระดับ DRAM พร้อมเตรียมขยายสู่ NAND

CXMT ก้าวสำคัญด้วยการเริ่มผลิต DRAM รุ่น G5 ซึ่งช่วยลดช่องว่างด้านเทคโนโลยีกับ Samsung และ SK hynix พร้อมเพิ่มจำนวนชิปต่อเวเฟอร์อย่างน้อย 50% และยกระดับผลิตภัณฑ์สำหรับสมาร์ตโฟนระดับสูง อย่างไรก็ตาม ผลิตภัณฑ์ G5 ยังไม่มียอดขายขนาดใหญ่และยังไม่ส่งผลต่อกำไรระยะสั้น ขณะเดียวกันบริษัทกำลังเตรียมขยายจาก DRAM ไปสู่ NAND ซึ่งหากสำเร็จจะช่วยเพิ่มตลาดที่เข้าถึงได้และยกระดับบทบาทของจีนในอุตสาหกรรมหน่วยความจำโลก

1. CXMT เริ่มผลิต DRAM รุ่น G5 ในเชิงอุตสาหกรรม ลดช่องว่างผู้นำโลก

CXMT ประกาศว่าเทคโนโลยีการผลิต DRAM รุ่นที่ 5 หรือ G5 เริ่มเข้าสู่การผลิตแล้ว ถือเป็นก้าวสำคัญในการยกระดับเทคโนโลยีหน่วยความจำของจีนให้เข้าใกล้ผู้ผลิตชั้นนำอย่าง Samsung Electronics และ SK hynix มากขึ้น โดยบริษัทสามารถลดขนาดส่วนสำคัญของวงจรลงเหลือประมาณ 11.95 นาโนเมตร ซึ่งใกล้เคียงกับกระบวนการผลิตขั้นสูงที่ใช้อยู่ในอุตสาหกรรม

จุดเด่นสำคัญของ G5 คือจำนวนชิปที่ผลิตได้ต่อแผ่นเวเฟอร์เพิ่มขึ้นอย่างน้อย 50% จากรุ่นก่อน ช่วยลดต้นทุนต่อหน่วยและเพิ่มประสิทธิภาพด้านพลังงาน ขณะที่บริษัทเปิดตัว LPDDR5X รุ่นใหม่สำหรับสมาร์ตโฟนระดับกลางถึงบนและอุปกรณ์พกพา โดยความจุต่อชิปเพิ่มขึ้นประมาณ 50% จากรุ่นก่อนหน้า

2. เทคโนโลยีดีขึ้นชัดเจน แต่ยังไม่หนุนกำไรในระยะสั้น

แม้ G5 จะเริ่มเข้าสู่การผลิตแล้ว แต่ CXMT ระบุอย่างชัดเจนว่า ผลิตภัณฑ์ที่ใช้เทคโนโลยีใหม่นี้ ยังไม่มียอดขายในระดับใหญ่ และยังไม่น่าจะส่งผลอย่างมีนัยสำคัญต่อผลประกอบการในระยะสั้น เนื่องจากยังต้องใช้เวลาเพิ่มอัตราผลผลิตที่ผ่านมาตรฐาน รวมถึงผ่านขั้นตอนทดสอบและรับรองจากลูกค้า

ดังนั้น ประเด็นสำคัญในระยะถัดไปไม่ได้อยู่ที่ความสามารถในการผลิตเพียงอย่างเดียว แต่ต้องติดตามว่า CXMT จะสามารถเพิ่มผลผลิตที่ได้มาตรฐาน ลดต้นทุน และขยายการใช้งานกับผู้ผลิตอุปกรณ์รายใหญ่ได้เร็วเพียงใด โดยปัจจุบันผลิตภัณฑ์ LPDDR5/5X ของบริษัทเริ่มเข้าสู่ห่วงโซ่อุปทานของ Xiaomi, Transsion และผู้ผลิตสมาร์ตโฟนจีนบางรายแล้ว

3. ส่วนแบ่ง DRAM เพิ่มขึ้น ขณะที่จีนลดการพึ่งพาผู้ผลิตต่างประเทศ

CXMT กำลังมีบทบาทมากขึ้นในตลาด DRAM โลก โดยข้อมูลที่อ้างถึง TrendForce ระบุว่าส่วนแบ่งรายได้ของบริษัทเพิ่มจาก 7.6% ใน 1Q26 เป็น 9.5% ใน 2Q26 ขณะที่ Samsung, SK hynix และ Micron ยังคงครองตลาดส่วนใหญ่

การเข้าสู่ G5 ช่วยให้ CXMT สามารถขยับจากผลิตภัณฑ์ระดับทั่วไปไปสู่หน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ระดับสูงมากขึ้น และสอดคล้องกับนโยบายจีนที่ต้องการลดการพึ่งพาเทคโนโลยีต่างประเทศ โดยเฉพาะหลังสหรัฐจำกัดการเข้าถึงอุปกรณ์ผลิตชิปและหน่วยความจำขั้นสูงบางประเภท

4. จาก DRAM สู่ NAND เปิดแนวรบใหม่ในตลาดหน่วยความจำ

นอกจากการเร่งพัฒนา DRAM แล้ว CXMT ยังมีรายงานว่ากำลังเตรียมตั้งสายวิจัยและทดลองผลิต NAND Flash ที่โรงงานแห่งใหม่ในกรุงปักกิ่ง พร้อมตั้งสถาบันวิจัยที่มีโครงการด้าน NAND โดยมีการหารือกับลูกค้าบางรายที่ต้องการนำชิปไปใช้ในระบบจัดเก็บข้อมูลสำหรับ AI และซูเปอร์คอมพิวเตอร์

หากเดินหน้าสู่การผลิตเชิงพาณิชย์จริง จะทำให้ CXMT ขยายจากตลาด DRAM เข้าสู่ตลาดที่ปัจจุบัน Samsung, SK hynix และ Micron มีบทบาทสูง รวมถึงแข่งขันโดยตรงกับ YMTC ของจีนเอง อย่างไรก็ดี โครงการยังอยู่ในช่วงเริ่มต้น และยังไม่มีความชัดเจนว่าจะเข้าสู่การผลิตขนาดใหญ่เมื่อใด

ตารางผลกระทบต่อ CXMT / Samsung / SK hynix / Micron / YMTC

บริษัท	ผลกระทบ	ประเด็นสำคัญ
CXMT	บวก	G5 ช่วยลดช่องว่างเทคโนโลยี เพิ่มจำนวนชิปต่อเวเฟอร์อย่างน้อย 50% และเปิดโอกาสขยายจาก DRAM ไปสู่ NAND แต่ระยะสั้นยังต้องรอยอดขายและการรับรองจากลูกค้า
Samsung Electronics	ลบเล็กน้อยระยะกลาง	เผชิญคู่แข่งจีนที่เทคโนโลยีดีขึ้นและมีต้นทุนแข่งขันมากขึ้น โดยเฉพาะตลาดจีน แต่ยังได้เปรียบด้านเทคโนโลยีขั้นสูงและฐานลูกค้าโลก
SK hynix	ลบเล็กน้อยระยะกลาง	CXMT อาจเพิ่มแรงกดดันใน DRAM ทั่วไปและมือถือ แต่ผลกระทบต่อ HBM ยังจำกัด เพราะ SK hynix ยังนำในหน่วยความจำสำหรับ AI
Micron	ลบเล็กน้อย	มีความเสี่ยงเสียส่วนแบ่งตลาดจีนมากขึ้น หากลูกค้าในประเทศหันมาใช้ชิปของ CXMT แต่ยังมีความได้เปรียบในตลาดระดับสูงและลูกค้านอกจีน
YMTC	ลบเชิงการแข่งขัน	หาก CXMT เดินหน้า NAND จริง จะเกิดการแข่งขันโดยตรงในตลาดจีนมากขึ้น ขณะที่ YMTC เองก็เริ่มขยายเข้าสู่ DRAM ทำให้ขอบเขตการแข่งขันของทั้งสองบริษัททับซ้อนกันมากขึ้น

มุมมองของ InnovestX

ภาพรวมเป็น บวกต่อ CXMT เพราะ G5 สะท้อนว่าช่องว่างด้านเทคโนโลยี DRAM กับผู้ผลิตชั้นนำกำลังแคบลง ขณะที่จำนวนชิปต่อเวเฟอร์ที่เพิ่มขึ้นอย่างน้อย 50% มีโอกาสช่วยทั้งด้านต้นทุนและความสามารถในการแข่งขันในระยะกลาง อีกทั้งการเตรียมเข้าสู่ NAND ช่วยขยายตลาดที่บริษัทเข้าถึงได้ อย่างไรก็ตาม ระยะสั้นยังต้องติดตามอัตราผลผลิตที่ผ่านมาตรฐาน การรับรองจากลูกค้า และการเปลี่ยนกำลังผลิตใหม่ให้เป็นยอดขายจริง จึงยังไม่ควรคาดว่ากำไรจะเพิ่มขึ้นทันทีจาก G5
มุมมองต่อกลุ่ม ระยะสั้นผลกระทบต่อ Samsung, SK hynix และ Micron ยังจำกัด เพราะ G5 ของ CXMT ยังไม่สร้างยอดขายขนาดใหญ่ ขณะที่ความเสี่ยงจะเพิ่มขึ้นในระยะกลางหาก CXMT สามารถเพิ่มอัตราผลผลิตที่ผ่านมาตรฐาน ขยายฐานลูกค้า และเข้าสู่ NAND เชิงพาณิชย์ได้สำเร็จ โดยการแข่งขันน่าจะรุนแรงที่สุดในตลาดจีนและผลิตภัณฑ์หน่วยความจำระดับทั่วไปถึงระดับกลาง มากกว่าตลาด HBM สำหรับ AI

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน