กลุ่มหน่วยความจำ ราคา DRAM และความต้องการยังแข็งแกร่ง แม้ถูกขายหนัก

หุ้นกลุ่มหน่วยความจำปรับตัวลงจากความกังวลว่า CXMT ของจีนจะเพิ่มการแข่งขันในตลาด DRAM แม้เทคโนโลยีใหม่ยังไม่มีความชัดเจนด้านการผลิตเชิงพาณิชย์ ขณะที่ผลประกอบการ Nanya 3Q26 สะท้อนว่าตลาด DRAM ยังคงแข็งแกร่งจากราคาขายที่เพิ่มขึ้นมากกว่า 60% QoQ และอุปทานที่ตึงตัว โดยผู้บริหารคาดราคาขายเพิ่มขึ้นต่อใน 4Q26 และภาวะขาดแคลนอาจดำเนินต่อเนื่องถึงปี 2027 เราจึงยังมองบวกต่อ SK hynix, Samsung และ Micron โดยเฉพาะผู้ผลิตที่มีความได้เปรียบด้าน HBM

1. หุ้นชิปหน่วยความจำปรับตัวลง หลังตลาดกังวลการแข่งขันจาก CXMT

หุ้นผู้ผลิตชิปหน่วยความจำทั่วโลกปรับตัวลงแรง หลัง ChangXin Memory Technologies (CXMT) ของจีนเปิดเผยความคืบหน้าการพัฒนาโครงสร้างชิป DRAM รูปแบบใหม่ที่เรียกว่า 4F² ซึ่งช่วยเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำ ทำให้สามารถบรรจุข้อมูลได้มากขึ้นในพื้นที่เท่าเดิม และมีโอกาสเพิ่มความสามารถในการแข่งขันกับผู้ผลิตรายใหญ่ ได้แก่ SK hynix, Samsung Electronics และ Micron Technology

· แรงขายกระจายทั่วอุตสาหกรรม: วันที่ 13 ต.ค. หุ้น Samsung ลดลงประมาณ 7.4% ขณะที่ SK hynix ถูกขายอย่างหนักในตลาดเกาหลี และ Micron ลดลงประมาณ 4.9% ระหว่างการซื้อขายในสหรัฐฯ

· Elon Musk เตือนการแข่งขันจากจีน: Musk มองว่าจีนมีความสามารถในการขยายกำลังการผลิตอย่างรวดเร็วเมื่อสามารถพัฒนาเทคโนโลยีได้สำเร็จ ซึ่งอาจเพิ่มแรงกดดันด้านราคาในอุตสาหกรรม DRAM

· ความเสี่ยงระยะยาว: หาก CXMT สามารถผลิตชิปดังกล่าวได้ในปริมาณมากและมีคุณภาพเพียงพอ อาจเพิ่มอุปทาน DRAM ในตลาด และกดดันราคาขายของผู้ผลิตเดิม

อย่างไรก็ตาม เทคโนโลยีดังกล่าวยังไม่มีข้อมูลยืนยันว่าจะสามารถผลิตเชิงพาณิชย์ได้เมื่อใด ขณะที่ Samsung และ SK hynix เคยศึกษาโครงสร้างลักษณะเดียวกันมาก่อน จึงยังเร็วเกินไปที่จะสรุปว่า CXMT มีความได้เปรียบด้านเทคโนโลยีเหนือคู่แข่งเกาหลี

2. ความเสี่ยงจาก CXMT ยังจำกัดใน HBM แต่เพิ่มแรงกดดันต่อ DRAM ทั่วไป

แม้ CXMT จะมีความคืบหน้าด้าน DRAM แต่ผู้เชี่ยวชาญมองว่าบริษัทยังมีข้อจำกัดในการแข่งขันด้านหน่วยความจำความเร็วสูง (HBM) ซึ่งใช้ในระบบ AI ขั้นสูง และเป็นตลาดที่ SK hynix, Samsung และ Micron ยังคงมีความได้เปรียบ

· DRAM ทั่วไป: มีความเสี่ยงด้านการแข่งขันเพิ่มขึ้น เนื่องจาก CXMT สามารถขยายกำลังการผลิตเพื่อรองรับความต้องการภายในจีน และอาจเพิ่มส่วนแบ่งตลาดในระยะยาว

· HBM: ผู้ผลิตเกาหลีและสหรัฐฯ ยังมีความได้เปรียบด้านเทคโนโลยี การผลิต และการเชื่อมต่อหน่วยความจำเข้ากับระบบประมวลผล AI ทำให้ความเสี่ยงจาก CXMT ยังจำกัดในระยะสั้น

· ความผันผวนของอุตสาหกรรม: Cathie Wood จาก ARK Investment Management เตือนว่าอุตสาหกรรมหน่วยความจำมีวัฏจักรราคาและกำไรที่ผันผวนสูง หากจีนเพิ่มกำลังการผลิตเร็วกว่าการเติบโตของความต้องการ อาจนำไปสู่ภาวะอุปทานส่วนเกินในอนาคต

เรามองว่าการปรับตัวลงของหุ้นกลุ่มหน่วยความจำสะท้อนความกังวลต่อการแข่งขันระยะยาว ประกอบกับแรงขายทำกำไรในหุ้นที่ปรับขึ้นมากก่อนหน้า มากกว่าการเปลี่ยนแปลงของปัจจัยพื้นฐานในทันที

3. Nanya รายงานกำไร 3Q26 แข็งแกร่ง สะท้อน DRAM ยังขาดแคลน

สวนทางกับความกังวลด้านการแข่งขันจากจีน Nanya Technology (2408 TT) ผู้ผลิต DRAM ของไต้หวัน รายงานผลประกอบการ 3Q26 แข็งแกร่งจากราคาขาย DRAM ที่เพิ่มขึ้นมากกว่า 60% QoQ หลังสัญญาระยะยาวเดิมครบกำหนดและมีการปรับราคาขายใหม่ สะท้อนภาวะอุปทานหน่วยความจำที่ยังตึงตัว

ผลประกอบการ Nanya 3Q26	ผลจริง	เทียบตลาดคาด
รายได้	NT$133.65bn	สูงกว่าคาดเล็กน้อย
การเติบโตของรายได้	+61.9% QoQ	—
กำไรสุทธิ	NT$87.63bn	ต่ำกว่าคาดเล็กน้อย
กำไรต่อหุ้น	NT$25.40	ต่ำกว่าคาดเล็กน้อย
อัตรากำไรขั้นต้น	85.7%	สูงกว่าคาด 0.3 จุดเปอร์เซ็นต์
ราคาขาย DRAM เฉลี่ย	เพิ่มขึ้นมากกว่า 60% QoQ	—
ปริมาณส่งมอบ	ลดลง 4–6% QoQ	—

แม้กำไรสุทธิใกล้เคียงตลาดคาด แต่ผลประกอบการสะท้อนว่าผู้ผลิต DRAM ยังมีอำนาจต่อรองด้านราคาสูง โดยรายได้เติบโตจากราคาขายมากกว่าปริมาณส่งมอบ เนื่องจากสินค้าคงคลังลดลงและกำลังการผลิตปัจจุบันอยู่ในระดับสูง ขณะที่ต้นทุนวิจัยและค่าใช้จ่ายบุคลากรที่เพิ่มขึ้นยังเป็นปัจจัยจำกัดการเติบโตของกำไรจากการดำเนินงาน

4. ผู้บริหาร Nanya คาดราคา DRAM เพิ่มต่อใน 4Q26 และอุปทานตึงตัวถึงปี 2027

Lee Pei-ing ประธาน Nanya ประเมินว่าราคา DRAM และอัตรากำไรขั้นต้นจะเพิ่มขึ้นต่อใน 4Q26 เนื่องจากความต้องการยังสูงกว่าอุปทาน โดยเฉพาะจากการลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI ซึ่งเพิ่มความต้องการหน่วยความจำทั้งในเซิร์ฟเวอร์ ระบบเครือข่าย และระบบจัดเก็บข้อมูล

· อุปทานยังเพิ่มได้จำกัด: Nanya คาดว่าปริมาณส่งมอบจะทรงตัวจนกว่ากำลังการผลิตใหม่จะเริ่มทยอยเข้าสู่ตลาดใน 4Q27 ขณะที่ผู้ผลิตรายอื่นก็เผชิญข้อจำกัดในการเพิ่มกำลังผลิตเช่นกัน

· ลูกค้าต้องการสัญญาระยะยาว: ปัจจุบันสัญญาระยะยาวคิดเป็นประมาณ 50–70% ของยอดขาย และมีลูกค้าบางส่วนต้องการขยายอายุสัญญาจาก 3 เดือนเป็น 3 ปีหรือมากกว่า เพื่อรับประกันปริมาณชิป

· AI มีความสำคัญมากขึ้น: ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้องกับ AI มีสัดส่วนมากกว่า 20% ของรายได้ และบริษัทตั้งเป้าเพิ่มเป็น 40–50% ภายในปี 2029–2030

· ขยายกำลังผลิตระยะยาว: โรงงานใหม่ 5A จะเริ่มติดตั้งเครื่องจักรใน 1Q27 และตั้งเป้ากำลังผลิต 30,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือนภายในสิ้นปี 2028 ก่อนเพิ่มเป็น 50,000 แผ่นต่อเดือนในปี 2030

ทั้งนี้ การที่ผู้ผลิตรายใหญ่จัดสรรกำลังการผลิตให้ HBM มากขึ้น ทำให้กำลังผลิต DRAM ทั่วไปเติบโตได้จำกัด ซึ่งเป็นปัจจัยสนับสนุนราคาขายหน่วยความจำตลอดปี 2027

5. แนวโน้มปี 2027: ปัจจัยพื้นฐานยังดี แต่ต้องติดตามกำลังผลิตจากจีน

ข้อมูลจาก Nanya สะท้อนว่าตลาด DRAM ยังอยู่ในช่วงที่ผู้ผลิตมีอำนาจกำหนดราคาสูง โดย Goldman Sachs ประเมินว่าการเพิ่มกำลังการผลิต HBM ของ Samsung และ SK hynix จะจำกัดการเติบโตของอุปทาน DRAM ทั่วไปในปี 2027 ขณะที่การเจรจาสัญญา HBM สำหรับปี 2027 จะเป็นปัจจัยสำคัญต่อการจัดสรรกำลังผลิตของอุตสาหกรรม

อย่างไรก็ตาม ความคืบหน้าของ CXMT ทำให้ความเสี่ยงด้านอุปทานในระยะยาวเพิ่มขึ้น โดยเฉพาะหากผู้ผลิตจีนสามารถขยายกำลังการผลิต DRAM ทั่วไปได้เร็วกว่าคาด ส่งผลให้ตลาดต้องติดตามทั้งกำลังผลิตใหม่ ราคาขาย DRAM และความสามารถของผู้ผลิตรายใหญ่ในการรักษาอัตรากำไร ท่ามกลางการแข่งขันที่มีแนวโน้มเพิ่มขึ้น

มุมมองของ InnovestX

INVX ยังคงมุมมองเชิงบวกต่อ SK hynix (000660 KS), Samsung Electronics (005930 KS) และ Micron (MU US) จากภาวะอุปทาน DRAM ที่ตึงตัว ราคาขายที่มีแนวโน้มเพิ่มขึ้นต่อใน 4Q26 และการจัดสรรกำลังผลิตไปสู่ HBM ซึ่งช่วยจำกัดอุปทาน DRAM ทั่วไปในปี 2027 โดยเรามองว่า SK hynix และ Samsung มีความน่าสนใจจากการเติบโตของ HBM ควบคู่กับการฟื้นตัวของกำไร DRAM ขณะที่ Micron ยังได้รับประโยชน์จากวัฏจักรราคาหน่วยความจำเช่นกัน แม้ข่าว CXMT จะเพิ่มความผันผวนระยะสั้น
ทั้งนี้ เรามองว่าการปรับตัวลงของหุ้นกลุ่มดังกล่าวเป็นผลจากความกังวลด้านการแข่งขันและแรงขายทำกำไร มากกว่าการเปลี่ยนแปลงปัจจัยพื้นฐานในปัจจุบัน แต่ควรติดตามความสามารถในการผลิตเชิงพาณิชย์ของ CXMT และความเสี่ยงอุปทานส่วนเกินในระยะยาว

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน