SK hynix ปรับพอร์ตการผลิต รับยุค AI ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นใหม่

SK hynix กำลังปรับโครงสร้างฐานการผลิตครั้งสำคัญ โดยพิจารณาหาพันธมิตรหรือขายบางส่วนของโรงงานบรรจุและทดสอบชิปในจีน ขณะเดียวกันเร่งลงทุนราว 54 ล้านล้านวอนในเกาหลีใต้ เพื่อสร้างฐานการผลิตสำหรับ HBM หน่วยความจำรุ่นใหม่ และ NAND ที่รองรับศูนย์ข้อมูล AI ภาพรวมจึงไม่ใช่เพียงการเพิ่มกำลังผลิต DRAM แบบเดิม แต่เป็นการย้ายเงินทุนไปยังเทคโนโลยีที่มีความสำคัญต่อโครงสร้างพื้นฐาน AI มากขึ้น โดยกำลังผลิตใหม่จะทยอยเข้าสู่ตลาดตั้งแต่ปลายปี 2028-2029 ทำให้ผลกระทบต่ออุปทานในระยะสั้นยังจำกัด ทิศทางดังกล่าวเป็นบวกต่อ SK hynix ในระยะกลาง-ยาว

1) SK hynix พิจารณาปรับโครงสร้างโรงงานในจีน

SK hynix กำลังพิจารณาทางเลือกสำหรับโรงงานในฉงชิ่ง ประเทศจีน ซึ่งเป็นฐานขนาดใหญ่สำหรับการบรรจุและทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะกระบวนการหลังการผลิตของ NAND หนึ่งในทางเลือกคือการนำพันธมิตรเข้ามาถือหุ้นเพื่อช่วยสนับสนุนการเติบโต หรือขายหุ้นบางส่วนในสินทรัพย์ที่อาจมีมูลค่าราว 3 พันล้านดอลลาร์
ผู้สนใจอาจประกอบด้วยกองทุนและบริษัทอุตสาหกรรมในจีน ขณะที่ SK hynix อาจยังถือหุ้นส่วนน้อยต่อไป อย่างไรก็ตาม การหารือยังอยู่ในระยะแรกและยังไม่มีข้อสรุปว่าจะเกิดธุรกรรมจริงหรือไม่
ประเด็นสำคัญคือ โรงงานฉงชิ่งไม่ได้เป็นฐานผลิต DRAM หลัก แต่เป็นฐานด้านการบรรจุและทดสอบที่สนับสนุนธุรกิจ NAND ดังนั้นการพิจารณาปรับโครงสร้างสินทรัพย์ดังกล่าวควรมองเป็นส่วนหนึ่งของการจัดสรรเงินทุนและโครงสร้างการผลิตใหม่ มากกว่าการลดกำลังผลิต DRAM ในจีน

2) เงินลงทุน 54 ล้านล้านวอน เน้นสร้างฐานเทคโนโลยีหน่วยความจำยุค AI

ในเวลาเดียวกัน SK hynix อนุมัติเงินลงทุนรวมประมาณ 54 ล้านล้านวอน หรือราว 3.8 หมื่นล้านดอลลาร์ สำหรับโรงงานใหม่สองแห่งในเกาหลีใต้ ประกอบด้วย Yongin Y2 มูลค่า 35.2 ล้านล้านวอน และ Cheongju M17 มูลค่า 19.1 ล้านล้านวอน
แม้ Y2 จะเป็นฐานการผลิต DRAM แต่จุดสำคัญของโครงการไม่ได้อยู่ที่การเพิ่มกำลังผลิต DRAM ทั่วไปเพียงอย่างเดียว บริษัทระบุชัดว่าโรงงานจะรองรับ HBM และหน่วยความจำ DRAM รุ่นใหม่ ซึ่งเป็นหัวใจของเครื่องเร่งประมวลผล AI และศูนย์ข้อมูลรุ่นใหม่ นอกจากนี้โครงการยังรวมศูนย์วิจัยและพัฒนา ระบบทดสอบ และโครงสร้างพื้นฐานที่เกี่ยวข้อง
ด้าน M17 จะเพิ่มฐานการผลิต NAND โดยเน้นรองรับการเติบโตของ SSD สำหรับองค์กรและศูนย์ข้อมูล ซึ่งกำลังได้รับแรงหนุนจากการใช้งาน AI โดยเฉพาะการประมวลผลข้อมูลจำนวนมากและการเก็บข้อมูลชั่วคราวสำหรับการประมวลผลโมเดล AI

ตาราง 1: สรุปแผนลงทุนใหม่ของ SK hynix

โครงการ	Yongin Y2	Cheongju M17
เงินลงทุน	35.2 ล้านล้านวอน	19.1 ล้านล้านวอน
สัดส่วนเงินลงทุน	~65% ของทั้งหมด	~35% ของทั้งหมด
ผลิตภัณฑ์หลัก	HBM และ DRAM รุ่นใหม่	NAND
การใช้งานสำคัญ	ชิปประมวลผล AI และศูนย์ข้อมูล	SSD สำหรับองค์กรและการประมวลผล AI
เริ่มก่อสร้าง	ก.ค. 2027	ก.พ. 2027
เปิดพื้นที่การผลิตชุดแรก	มิ.ย. 2029	ธ.ค. 2028
ระยะเวลาลงทุน	ถึง ต.ค. 2031	ถึง เม.ย. 2031
เป้าหมายหลัก	เพิ่มฐานผลิตหน่วยความจำสมรรถนะสูงสำหรับ AI	รองรับความต้องการจัดเก็บข้อมูลที่เพิ่มขึ้นจาก AI

3) SK hynix มองความต้องการหน่วยความจำ AI เป็นการเปลี่ยนแปลงระยะยาว

บริษัทมองว่าความต้องการหน่วยความจำที่เพิ่มขึ้นไม่ได้เป็นเพียงวัฏจักรขาขึ้นชั่วคราว แต่เป็นการเปลี่ยนแปลงเชิงโครงสร้างจากการขยายตัวของ AI โดยข้อมูลที่บริษัทอ้างอิงคาดว่าความต้องการทั้ง DRAM และ NAND จะเติบโตเฉลี่ยประมาณ 19% ต่อปีจนถึงปี 2030
แนวคิดของ SK hynix คือหน่วยความจำกำลังเปลี่ยนจากส่วนประกอบทั่วไปของคอมพิวเตอร์ไปเป็นหนึ่งในองค์ประกอบสำคัญที่กำหนดประสิทธิภาพของระบบ AI โดยตรง โดยเฉพาะ HBM ซึ่งต้องทำงานร่วมกับหน่วยประมวลผล AI ประสิทธิภาพสูง รวมถึง NAND สำหรับศูนย์ข้อมูลและการประมวลผล AI
ดังนั้น เงินลงทุนรอบนี้จึงสะท้อนการเตรียมกำลังการผลิตล่วงหน้าสำหรับ ผลิตภัณฑ์ที่มีมูลค่าเพิ่มสูงและเกี่ยวข้องกับ AI มากกว่าการเร่งเพิ่มปริมาณชิปหน่วยความจำแบบเดิม

4) กำลังผลิตใหม่ยังไม่กดดันราคาหน่วยความจำในระยะสั้น

แม้ตัวเลขลงทุนจะสูง แต่โรงงานใหม่ต้องใช้เวลาอีกหลายปีกว่าจะเริ่มผลิตจริง โดย M17 มีเป้าหมายเปิดพื้นที่การผลิตชุดแรกปลายปี 2028 ขณะที่ Y2 จะเริ่มในช่วงกลางปี 2029
นอกจากนี้ SK hynix จะติดตั้งอุปกรณ์และเพิ่มกำลังผลิตเป็นระยะตามคำสั่งซื้อของลูกค้า ไม่ได้ติดตั้งกำลังผลิตทั้งหมดพร้อมกันตั้งแต่วันแรก ช่วยลดความเสี่ยงจากภาวะอุปทานส่วนเกินและเพิ่มประสิทธิภาพการใช้เงินลงทุน
จึงมองว่าการลงทุนครั้งนี้ ยังไม่ใช่สัญญาณว่าตลาด DRAM หรือ NAND กำลังเข้าสู่ภาวะอุปทานล้นในระยะสั้น และยังไม่น่ากดดันคู่แข่งอย่าง Micron อย่างมีนัยสำคัญ เนื่องจากกำลังผลิตใหม่ส่วนใหญ่จะเข้าตลาดตั้งแต่ปี 2028-2029 เป็นต้นไป

ตาราง 2: แผนลงทุนส่งผลต่ออุตสาหกรรมหน่วยความจำอย่างไร

ประเด็น	รายละเอียด	นัยสำคัญ
ความต้องการหน่วยความจำ	DRAM และ NAND คาดเติบโตเฉลี่ย 19% ต่อปีถึงปี 2030	บริษัทมอง AI เป็นการเปลี่ยนแปลงเชิงโครงสร้าง ไม่ใช่เพียงวัฏจักรระยะสั้น
กำลังผลิต DRAM ใหม่	ประเมินเพิ่มราว 200,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือน	เป็นการเพิ่มกำลังระยะกลาง-ยาว ไม่ได้เข้าสู่ตลาดทันที
เริ่มผลิต Y2	มิ.ย. 2029	ผลกระทบต่ออุปทาน DRAM ระยะใกล้จำกัด
เริ่มผลิต NAND จาก M17	ปลายปี 2028	ภาวะอุปทาน NAND ตึงตัวอาจยังต่อเนื่องถึงปี 2028
การติดตั้งเครื่องจักร	ทยอยตามความต้องการลูกค้า	ลดความเสี่ยงลงทุนเกินความต้องการและอุปทานส่วนเกิน
ผลต่อคู่แข่ง	มองผลต่อ Micron และอุตสาหกรรมค่อนข้างจำกัด	แผนลงทุนยังสอดคล้องกับเป้าหมายกำลังผลิตที่ตลาดรับรู้มาก่อนแล้ว

5) ภาพใหญ่คือการย้ายเงินทุนจากสินทรัพย์เดิมสู่ AI Memory

ภาพของ SK hynix จึงชัดขึ้นว่า บริษัทกำลังปรับพอร์ตสินทรัพย์จากฐานการผลิตและกระบวนการหลังการผลิตเดิมในจีน ไปสู่การสร้างฐานเทคโนโลยีและการผลิตระดับสูงในเกาหลีใต้
ทิศทางดังกล่าวครอบคลุมทั้ง HBM, DRAM รุ่นใหม่, NAND สำหรับศูนย์ข้อมูล, SSD สำหรับองค์กร รวมถึงศูนย์วิจัยและโครงสร้างพื้นฐานการผลิตขั้นสูง สอดคล้องกับยุทธศาสตร์ของบริษัทในการเป็นผู้ให้บริการโครงสร้างพื้นฐานหน่วยความจำสำหรับ AI มากกว่าการแข่งขันด้วยปริมาณการผลิตหน่วยความจำทั่วไปเพียงอย่างเดียว
อีกด้านหนึ่ง การมีเงินสดสุทธิในระดับสูงและกระแสเงินสดที่แข็งแกร่งช่วยให้บริษัทสามารถลงทุนขนาดใหญ่ได้โดยยังมีความเสี่ยงด้านฐานะการเงินค่อนข้างจำกัด

ตาราง 3: จากสินทรัพย์เดิม สู่หน่วยความจำยุค AI

ทิศทาง	ฐานเดิม/ปัจจุบัน	ทิศทางใหม่
จีน	พิจารณาทางเลือกสำหรับสินทรัพย์ Chongqing มูลค่าราว 3 พันล้านดอลลาร์	เพิ่มความยืดหยุ่นในการจัดสรรสินทรัพย์
เกาหลีใต้	ขยายฐานการผลิตในประเทศ	ลงทุน 54 ล้านล้านวอนใน Yongin และ Cheongju
DRAM	หน่วยความจำทั่วไปและผลิตภัณฑ์เดิม	HBM และ DRAM รุ่นใหม่สำหรับ AI
NAND	หน่วยความจำสำหรับการจัดเก็บข้อมูล	เน้น SSD สำหรับองค์กรและงาน AI มากขึ้น
กลยุทธ์ลงทุน	เพิ่มกำลังผลิตตามวัฏจักร	สร้างฐานเทคโนโลยีและกำลังผลิตรองรับ AI ระยะยาว

มุมมองของ InnovestX

เรามองประเด็นนี้ เป็นบวกต่อภาพระยะกลาง-ยาวของ SK hynix เนื่องจากสะท้อนการนำเงินทุนไปสู่เทคโนโลยีหน่วยความจำที่มีความสำคัญต่อ AI มากขึ้น ทั้ง HBM หน่วยความจำรุ่นใหม่ และ NAND สำหรับศูนย์ข้อมูล มากกว่าการเพิ่มกำลังผลิต DRAM ทั่วไป ขณะที่การพิจารณาปรับโครงสร้างสินทรัพย์ในจีนช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นในการจัดสรรเงินทุน
สำหรับอุตสาหกรรม เรามองว่าความเสี่ยงจากอุปทานส่วนเกินในระยะสั้นยังจำกัด เพราะกำลังผลิตใหม่จะเริ่มเข้าตลาดตั้งแต่ช่วงปลายปี 2028-2029 และการติดตั้งเครื่องจักรจะดำเนินตามความต้องการของลูกค้า จึงยังเป็นภาพสนับสนุนต่อวัฏจักรหน่วยความจำ AI และไม่ได้เปลี่ยนมุมมองเชิงลบต่อราคาหน่วยความจำในระยะใกล้ โดย Micron, และ Samsung ยังไม่น่าถูกกระทบอย่างมีนัยสำคัญจากแผนดังกล่าวในช่วง 1-2 ปีข้างหน้า

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน