Offshore Stock Update

SK Hynix, Kioxia และ CXMT เร่งขยายกำลังผลิต Memory รับ AI

By สิทธิชัย ดวงรัตนฉายา, IAA|28 Aug 26 9:09 AM
Screenshot 2026-08-28 092500
สรุปสาระสำคัญ

อุตสาหกรรม Memory กำลังเข้าสู่รอบขยายกำลังผลิตใหม่ หลังความต้องการจาก AI Data Center เพิ่มขึ้นทั้ง HBM, NAND และ DRAM โดย SK Hynix เน้นเพิ่มฐาน HBM และ Advanced Packaging ในสหรัฐฯ ขณะที่ Kioxia–Sandisk เตรียมลงทุนครั้งใหญ่ใน NAND สำหรับ Data Center ส่วน CXMT เร่งเพิ่มกำลังผลิต DRAM และขยับผลิตภัณฑ์ไปสู่ DDR5/Server มากขึ้น ภาพรวมจึงยังสนับสนุนการเติบโตของอุตสาหกรรมในช่วงปี 2026-2027 แต่ความเสี่ยงระยะยาวไปสู่การบริหารกำลังผลิตไม่ให้เกิดภาวะอุปทานล้นตลาด

1. SK Hynix ขยาย HBM ในสหรัฐฯ พร้อมเปิดทางร่วมมือ Kioxia มากขึ้น

  • SK Hynix เริ่มก่อสร้างโรงงานมูลค่ากว่า $4 พันล้าน ในรัฐ Indiana ซึ่งจะเป็นฐานบรรจุภัณฑ์ HBM แห่งแรกของบริษัทในสหรัฐฯ โดยคาดเปิดห้องปลอดฝุ่นภายในเดือน ต.ค. 2028 และเริ่มผลิต HBM รุ่นใหม่จำนวนมากใน 2H29 โรงงานดังกล่าวจะรับ Wafer ที่ผลิตจากเกาหลีใต้เข้ามาทำ Advanced Packaging และทดสอบในสหรัฐฯ สะท้อนว่าบริษัทกำลังสร้างห่วงโซ่อุปทาน AI ที่ใกล้ลูกค้าสหรัฐฯ มากขึ้น 
  • การลงทุนยังได้รับแรงสนับสนุนจาก CHIPS Act สูงสุด $458 ล้านในรูปเงินสนับสนุนและวงเงินกู้สูงสุด $500 ล้าน ขณะที่บริษัทกำลังพิจารณาผู้ผลิตวัตถุดิบ อุปกรณ์ และชิ้นส่วนมากกว่า 100 รายสำหรับโครงการ ทำให้ผลบวกอาจกระจายไปยังห่วงโซ่ Advanced Packaging มากกว่าตัว Memory เพียงอย่างเดียว 
  • อีกประเด็นที่น่าสนใจคือ SK Hynix กำลังพิจารณาความร่วมมือที่ใกล้ชิดขึ้นกับ Kioxia ในตลาด NAND โดยปัจจุบันมีผลประโยชน์ทางอ้อมผ่าน BCPE Pangea ซึ่งเป็นผู้ถือหุ้นใหญ่ของ Kioxia อย่างไรก็ตาม ยังไม่มีแผนเพิ่มสัดส่วนการถือหุ้นอย่างชัดเจน และ SK Hynix ยังคงมีข้อจำกัดการถือสิทธิออกเสียงไม่เกิน 15% จนถึงปี 2028 หากไม่ได้รับความยินยอมจาก Kioxia 


2. Kioxia–Sandisk ทุ่มกว่า $31bn ขยาย NAND รับ AI Data Center

  • Kioxia และ Sandisk วางแผนลงทุนมากกว่า ¥5 ล้านล้าน หรือราว $31.4 พันล้าน ภายใน 6 ปี เพื่อเพิ่มกำลังผลิต NAND ในญี่ปุ่น โดยประมาณ ¥1.8 ล้านล้านจะใช้สร้างโรงงานใหม่ที่ Kitakami สำหรับผลิต 3D NAND ความหนาแน่นสูง รองรับปริมาณข้อมูลจาก AI 
  • ประเมินว่าการลงทุนดังกล่าวอาจเพิ่มกำลังผลิตของ Kioxia ได้ราว 30–40% หรือเพิ่มกำลังผลิตประมาณ 250,000 Wafer ต่อเดือน จากฐานปัจจุบันประมาณ 600,000 Wafer ต่อเดือน โดยกำลังผลิตใหม่จะทยอยเข้ามาราวปี 2029 และเริ่มมีผลต่อรายได้อย่างมีนัยในปีงบประมาณ 2030 
  • แรงสนับสนุนสำคัญมาจากผู้ให้บริการ Cloud รายใหญ่ เช่น Alphabet และ Meta ที่เริ่มทำสัญญาระยะหลายปีเพื่อจอง Memory และ Storage สำหรับ Data Center ทำให้ผู้ผลิตมีความมั่นใจมากขึ้นในการลงทุนระยะยาว อย่างไรก็ตาม ความเสี่ยงคือกำลังผลิตใหม่ของทั้ง Kioxia, Samsung, SK Hynix รวมถึงคู่แข่งจีนอาจออกสู่ตลาดใกล้เคียงกันในช่วงปลายทศวรรษ ส่งผลให้ต้องติดตามความเสี่ยง Oversupply หลังปี 2029 
  • ในมุมห่วงโซ่อุปทาน การสร้างโรงงาน NAND ใหม่เป็นบวกโดยตรงต่อผู้ผลิตเครื่องจักร เช่น Tokyo Electron และ Lam Research เนื่องจาก 3D NAND รุ่นใหม่ต้องใช้กระบวนการกัดและเคลือบชั้นจำนวนมากขึ้น ขณะที่ Kokusai Electric มีโอกาสได้ประโยชน์จากความต้องการเครื่องเคลือบชั้นอะตอมเพิ่มขึ้น 


3. CXMT เร่งขยาย DRAM แต่กำลังผลิตยังมีเพดานในระยะกลาง

  • ฝั่งจีน CXMT กำลังเร่งเพิ่มกำลังผลิต DRAM โดยกำลังผลิตติดตั้งคาดเพิ่มจากประมาณ 270,000 Wafer/เดือนในปี 2026 เป็น 315,000 ในปี 2027 และราว 367,000 ในกรณีฐานปี 2028 ขณะที่กรณีสูงอาจแตะ 425,000 Wafer/เดือน แต่ยังต่ำกว่าเพดานประมาณ 450,000 Wafer/เดือนของพื้นที่โรงงานที่ได้รับอนุญาตในปัจจุบัน 
  • จุดสำคัญคือ CXMT ไม่ได้เพิ่มเพียงจำนวน Wafer แต่กำลังยกระดับผลิตภัณฑ์จาก DRAM รุ่นเก่าไปสู่ DDR5 และตลาด Server มากขึ้น โดยรายได้ Server เพิ่มจาก RMB394.5 ล้านในปี 2023 เป็น RMB15.97 พันล้านในปี 2025 และแบบจำลองประเมินว่าส่วนแบ่ง Bit ทั่วโลกอาจเพิ่มขึ้นถึงประมาณ 11% ในปี 2028 หากการเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำเป็นไปตามแผน 
  • อย่างไรก็ตาม การเพิ่มกำลังผลิต CXMT ไม่ได้แปลว่าจะเกิดแรงกดดันต่อ Legacy DRAM ทันที เพราะกำลังผลิตใหม่ส่วนใหญ่กำลังย้ายไป DDR5 ขณะที่สัดส่วน DDR4 ลดจาก 48% เหลือ 26% ของจำนวน Bit ที่ส่งมอบ ทำให้แรงกดดันด้านราคาน่าจะกระจุกตัวมากขึ้นในผลิตภัณฑ์ที่ใกล้กับเทคโนโลยีของ CXMT มากกว่าทั้งตลาด DRAM 


4. ภาพรวมสะท้อน Memory Cycle รอบนี้แตกต่างจากอดีต

  • การลงทุนของทั้งสามรายสะท้อนว่าความต้องการ AI ไม่ได้หนุน Memory เพียงประเภทเดียว แต่กระจายตั้งแต่ HBM สำหรับตัวเร่ง AI, NAND สำหรับจัดเก็บข้อมูล และ DDR5 สำหรับ Server ทำให้การขยายกำลังผลิตครั้งนี้มีฐานอุปสงค์จาก Data Center รองรับมากกว่ารอบเดิมที่พึ่ง Smartphone และ PC เป็นหลัก
  • อย่างไรก็ตาม จังหวะเริ่มผลิตของโรงงานใหม่ส่วนใหญ่กระจุกในช่วง 2028–2030 ดังนั้นระยะ 1–2 ปีข้างหน้ายังมีโอกาสเห็นภาวะ Memory ตึงตัวและราคาทรงตัวในระดับสูง แต่หลังจากนั้นต้องติดตามว่าสัญญาระยะยาวของกลุ่ม Cloud จะดูดซับกำลังผลิตใหม่ได้มากน้อยเพียงใด เพราะหาก Samsung, SK Hynix, Kioxia, Micron และผู้ผลิตจีนเพิ่มกำลังผลิตพร้อมกัน ความเสี่ยงด้านราคาจะกลับมาเป็นประเด็นอีกครั้ง

 

เปรียบเทียบการขยายกำลังผลิต Memory

บริษัท

Memory หลัก

แผนลงทุน / กำลังผลิต

เริ่มมี Supply ใหม่

เป้าหมายหลัก

มุมมอง

SK Hynix

HBM

ลงทุนมากกว่า $4bn สร้างฐาน Advanced Packaging ที่ Indiana

เริ่มผลิตจำนวนมาก 2H29

AI Accelerator / HBM

บวกต่อ HBM และ Advanced Packaging

Kioxia + Sandisk

NAND

ลงทุนมากกว่า ¥5tn ($31.4bn) ใน 6 ปี

ราว 2029, รายได้ชัด FY30

AI Data Center Storage

บวกต่อ AI Storage แต่ต้องระวัง Oversupply

CXMT

DRAM

กำลังผลิตคาด 270k → 315k → 367k wafers/เดือน ในปี 2026–28

เพิ่มต่อเนื่องถึง 2028

DDR5 / Server DRAM

เพิ่มแรงแข่งขันใน DRAM ระดับกลาง

 

Supply ใหม่จะเข้าตลาดช่วงไหน

ช่วงเวลา

ภาพ Supply

ปัจจัยสำคัญ

ผลต่อราคา Memory

2026

ยังตึงตัว

AI Data Center ใช้ HBM / NAND / DDR5 เพิ่ม

บวก

2027

Supply เพิ่มทีละน้อย

CXMT เพิ่ม DRAM แต่โรงงานใหญ่ใหม่ยังไม่เต็มกำลัง

ยังสนับสนุนราคา

2028

เริ่มเห็นกำลังผลิตใหม่มากขึ้น

CXMT เข้าใกล้ 367k wafers/เดือน, SK Hynix เตรียมโรงงานใหม่

เริ่มสมดุลขึ้น

2029

Supply ใหม่เร่งตัว

SK Hynix HBM Indiana + Kioxia NAND ใหม่เริ่มผลิต

ความเสี่ยงราคาเพิ่ม

2030

ต้องระวัง Oversupply

Kioxia และผู้ผลิตรายใหญ่อื่นเพิ่มกำลังผลิตพร้อมกัน

ขึ้นกับ AI Demand ดูดซับ Supply


Key Implication

  • เรามอง เป็นบวกต่อธีม Memory และ Semiconductor Equipment ในช่วง 2026–2027 โดยให้น้ำหนักกับผู้ที่ได้ประโยชน์จาก AI โดยตรง เช่น SK Hynix, Micron, Samsung Electronics ใน HBM และผู้ผลิตเครื่องจักรที่ได้อานิสงส์จากการสร้างโรงงานใหม่อย่าง Tokyo Electron, Lam Research และ Kokusai Electric มากกว่าการลงทุนบนสมมติฐานว่าราคา Memory จะเพิ่มขึ้นต่อเนื่องในระยะยาว
  • นอกจากนี้ เราแนะติดตามทิศทางราคา Memory เป็นตัวชี้วัดสำคัญในระยะถัดไป หากราคา DRAM, NAND และ HBM ยังปรับขึ้นหรือทรงตัวในระดับสูง จะเป็นบวกต่อผู้ผลิต Memory โดยตรง เช่น SK Hynix, Micron, Samsung Electronics และ Kioxia เพราะช่วยหนุนรายได้และอัตรากำไร
  • ในทางกลับกัน หากราคา Memory เริ่มปรับลงจาก Supply ที่เพิ่มขึ้น จะเป็นบวกต่อกลุ่ม Hardware ที่ใช้ Memory เป็นสัดส่วนต้นทุนสำคัญ เพราะช่วยลดต้นทุนและหนุน Margin เช่น Dell, HP, Lenovo ในกลุ่ม PC/Server, Apple และ Xiaomi ในกลุ่ม Smartphone/Device รวมถึงผู้ผลิต Server และระบบ AI อย่าง Super Micro Computer ซึ่งจะได้ประโยชน์จากต้นทุน DRAM/NAND ที่ลดลงมากกว่าผู้ผลิต Memory เอง

 

 

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน

Stocks Mentioned
688825.SS
KIOXIA23x.BK
005930.KS
MICRON23x.BK
000660.KS
Author
Slide4
สิทธิชัย ดวงรัตนฉายา, IAA

Offshore Investment Team Lead

Most Read
1/5
Related Articles
Most Read
1/5