Offshore Stock Update

Nanya Technology 2Q26: งบดีกว่าคาดมาก แต่คุณภาพกำไรยังพึ่งพาราคา DRAM รุ่นเดิม

By สิทธิชัย ดวงรัตนฉายา|13 Jul 26 10:50 AM
nayatech
สรุปสาระสำคัญ

Nanya Technology รายงานงบ 2Q26 ดีกว่าคาดมากจากราคาขาย DRAM ที่เพิ่มขึ้นและอุปทานตึงตัว หนุนมาร์จิ้นทำสถิติสูงสุดและแนวโน้ม 3Q26 ยังเป็นบวก แต่ความยั่งยืนของกำไรยังพึ่งพา DDR4 และ DRAM รุ่นเดิมมากกว่า HBM หรือ DDR5 จึงเหมาะกับการลงทุนตามวัฏจักรระยะสั้นถึงกลาง โดยต้องติดตามราคา DDR4 การเพิ่มกำลังผลิตของ CXMT และความเสี่ยงจากมาร์จิ้นที่อยู่ในระดับสูง.

Nanya Technology 2Q26: งบดีกว่าคาดมาก แต่คุณภาพกำไรยังพึ่งพาราคา DRAM รุ่นเดิม


1) ผลประกอบการไตรมาสนี้

    Nanya Technology รายงานผลประกอบการ 2Q26 ดีกว่าคาดทุกบรรทัดสำคัญ โดยรายได้อยู่ที่ NT$82.55bn สูงกว่าคาด NT$72.87bn ราว 13.3% ขณะที่กำไรจากการดำเนินงานอยู่ที่ NT$60.83bn สูงกว่าคาด 16.4% และกำไรสุทธิ NT$50.19bn สูงกว่าคาด 17.2% ส่วน EPS อยู่ที่ NT$14.66 สูงกว่าคาด 13.2%

รายการ

2Q26

ตลาดคาด

ดีกว่าคาด

รายได้

NT$82.55bn

NT$72.87bn

13.3%

กำไรจากการดำเนินงาน

NT$60.83bn

NT$52.27bn

16.4%

กำไรสุทธิ

NT$50.19bn

NT$42.83bn

17.2%

EPS

NT$14.66

NT$12.95

13.2%

อัตรากำไรจากการดำเนินงาน

73.7%

ราว 71.3%

+2.4 จุดเปอร์เซ็นต์


    การเติบโตหลักมาจากราคาขายเฉลี่ย DRAM ที่เพิ่มขึ้นมากกว่า 60% QoQ หลังจากเพิ่มขึ้นมากกว่า 70% QoQ ใน 1Q26 ส่งผลให้อัตรากำไรจากการดำเนินงานเพิ่มขึ้นราว 13 จุดเปอร์เซ็นต์ QoQ สู่ระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ อย่างไรก็ตาม ข้อมูลที่ให้มายังไม่ได้ระบุอัตราการเติบโตของรายได้และกำไรสุทธิ YoY หรือ QoQ โดยตรง


2) แรงหนุนต่อผลประกอบการ

แรงหนุนสำคัญที่สุดมาจากภาวะขาดแคลน DRAM ซึ่งผลักดันราคาขายเฉลี่ยขึ้นอย่างมาก มากกว่าการเติบโตของปริมาณขาย ขณะที่ความต้องการจาก AI และเซิร์ฟเวอร์ทั่วไปทำให้ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่จัดสรรกำลังผลิตไปยังผลิตภัณฑ์สำหรับศูนย์ข้อมูลและ HBM ส่งผลให้อุปทาน DRAM รุ่นทั่วไปในตลาดผู้บริโภคและอุตสาหกรรมตึงตัวขึ้น

โครงสร้างผลิตภัณฑ์ของ Nanya ซึ่งเน้น DDR4, DDR3 และหน่วยความจำพลังงานต่ำ จึงได้รับประโยชน์โดยตรงจากราคาหน่วยความจำรุ่นเดิมที่ปรับขึ้น นอกจากนี้ สัญญาซื้อขายระยะยาวยังช่วยเพิ่มความชัดเจนด้านคำสั่งซื้อและลดความผันผวนของวัฏจักรหน่วยความจำบางส่วน


3) แนวโน้มระยะถัดไป

ผู้บริหารคาดว่าผลการดำเนินงาน 3Q26 จะดีขึ้นต่อเนื่อง และอัตรากำไรมีโอกาสทรงตัวในระดับสูงในช่วงหลายไตรมาสข้างหน้า เนื่องจากภาวะอุปทานตึงตัวยังไม่คลี่คลาย ขณะที่ความต้องการหน่วยความจำจาก AI และเซิร์ฟเวอร์ยังแข็งแกร่ง

อย่างไรก็ตาม แนวโน้มของ Nanya จะขึ้นอยู่กับราคาขายเฉลี่ยมากกว่าปริมาณ โดยตลาดคาดอัตรากำไรขั้นต้นใกล้ 80% ไปจนถึงปี 2027 ซึ่งถือเป็นระดับสูงและเหลือพื้นที่จำกัดสำหรับความผิดหวัง หากราคา DRAM เริ่มอ่อนตัว แม้เพียงเล็กน้อย ขณะที่ปริมาณขายยังไม่เติบโตชัดเจน กำไรอาจชะลอตัวเร็ว

ด้านกำลังผลิต บริษัทเตรียมเพิ่มงบลงทุนปี 2027 อย่างมาก โดยโรงงานใหม่จะเริ่มติดตั้งเครื่องจักรใน 1Q27 และเริ่มผลิตในปี 2028 เฟสแรกมีกำลังผลิต 30,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือน ก่อนเพิ่มเป็น 45,000 แผ่นต่อเดือน รวมเงินลงทุนราว US$16bn

4) ประเด็นสำคัญจาก Earnings call

ประเด็นหลักจากผู้บริหาร ได้แก่

  • คาดภาวะขาดแคลน DRAM จะต่อเนื่องอีกหลายไตรมาส
  • มองว่าความต้องการจาก AI และเซิร์ฟเวอร์ช่วยลดความรุนแรงของวัฏจักรหน่วยความจำ
  • คาดผลประกอบการ 3Q26 ปรับดีขึ้นต่อเนื่อง
  • มองว่าอัตรากำไรมีโอกาสทรงตัวในระดับสูงในช่วงระยะใกล้
  • เชื่อว่าสัญญาระยะยาวช่วยลดความผันผวนของราคาและเพิ่มความมั่นคงของคำสั่งซื้อ
  • ไม่ได้แสดงความกังวลมากนักต่อการเพิ่มกำลังผลิต DDR4 ของ CXMT
  • โรงงานใหม่และการนำ EUV มาใช้ยังอยู่ในแผนปี 2028 จึงยังไม่เพิ่มอุปทานในระยะสั้น

น้ำเสียงของผู้บริหารโดยรวมเป็นบวกต่อทั้งราคาและสมดุลอุปสงค์-อุปทาน แต่ยังไม่ได้ให้หลักฐานชัดเจนว่าปริมาณขายจะเร่งตัวตามราคา


5) ความเสี่ยง

    ความเสี่ยงหลักคือ Nanya มีความเชื่อมโยงกับ AI โดยตรงน้อยกว่าผู้ผลิตรายใหญ่อย่าง Samsung Electronics และ SK Hynix เนื่องจากยอดขายราว 90% ยังมาจาก DDR4, DDR3 และหน่วยความจำพลังงานต่ำ ขณะที่ DDR5 มีสัดส่วนเพียงประมาณ 10% และบริษัทยังไม่มีผลิตภัณฑ์ HBM ในระดับสำคัญ

    นอกจากนี้ ยังมีความเสี่ยงจากการเพิ่มกำลังผลิต DDR4 ของ CXMT ซึ่งอาจกดดันราคาหน่วยความจำรุ่นเดิมในอนาคต รวมถึงความเสี่ยงจากมาร์จิ้นที่อยู่ในระดับสูงเป็นประวัติการณ์ การลงทุนโรงงานใหม่มูลค่าสูง และความเป็นไปได้ที่กำลังผลิตใหม่จะเริ่มเดินเครื่องในปี 2028 ซึ่งอาจตรงกับช่วงที่วัฏจักรราคาหน่วยความจำเริ่มอ่อนตัว

6) มุมมอง InnovestX

    InnovestX มองผลประกอบการ 2Q26 เป็นบวกอย่างชัดเจน เนื่องจากรายได้ กำไร และอัตรากำไรดีกว่าคาดมาก พร้อมยืนยันว่าภาวะอุปทาน DRAM ตึงตัวยังสนับสนุนราคาขายในช่วง 2H26 อย่างไรก็ตาม ความยั่งยืนของกำไรยังขึ้นอยู่กับราคา DRAM รุ่นเดิมเป็นหลัก ขณะที่การเชื่อมโยงกับ AI เป็นอานิสงส์ทางอ้อมผ่านการเบียดกำลังผลิต มากกว่ารายได้จาก HBM หรือ DDR5 โดยตรง

เชิงกลยุทธ์ Nanya ยังเหมาะกับการลงทุนตามวัฏจักรราคา DRAM ระยะสั้นถึงกลาง แต่ความน่าสนใจเชิงโครงสร้างยังต่ำกว่า Samsung Electronics และ SK Hynix ซึ่งมีฐานผลิตภัณฑ์ HBM และ DDR5 ที่แข็งแกร่งกว่า จึงควรเพิ่มความระมัดระวังต่อระดับมูลค่า หลังอัตรากำไรอยู่ใกล้ระดับสูงของวัฏจักร และติดตามราคา DDR4 การเพิ่มกำลังผลิตของ CXMT และทิศทางปริมาณขายใน 3Q26 เป็นสำคัญ

 

 

 

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน

Author
Slide4
สิทธิชัย ดวงรัตนฉายา

นักกลยุทธ์อาวุโสตลาดหุ้นไทยและต่างประเทศ

Most Read
1/5
Related Articles
Most Read
1/5